چگونه جریان درایور IGBT را گسترش دهیم؟

مدار درایور نیمه هادی برقی یک زیرمجموعه مهم از مدارهای مجتمع است، قدرتمند، که علاوه بر تامین سطح درایو و جریان، برای آی سی های درایور IGBT استفاده می شود، اغلب با عملکردهای حفاظتی درایو، از جمله حفاظت از اتصال کوتاه اشباع، خاموش شدن ولتاژ پایین، گیره میلر، خاموش شدن دو مرحله ای ، خاموش شدن نرم، SRC (کنترل سرعت حرکت) و غیره. همچنین محصولات دارای سطوح مختلف عملکرد عایق هستند.با این حال، به عنوان یک مدار مجتمع، بسته آن حداکثر مصرف انرژی را تعیین می کند، جریان خروجی آی سی راننده در برخی موارد می تواند بیش از 10 آمپر باشد، اما هنوز نمی تواند نیازهای رانندگی ماژول های IGBT جریان بالا را برآورده کند، این مقاله در مورد رانندگی IGBT بحث خواهد کرد. گسترش فعلی و جاری

نحوه گسترش جریان درایور

هنگامی که جریان درایو نیاز به افزایش دارد، یا هنگام رانندگی IGBT با جریان بالا و ظرفیت گیت بزرگ، لازم است جریان را برای آی سی درایور افزایش دهید.

استفاده از ترانزیستورهای دوقطبی

معمولی ترین طراحی درایور گیت IGBT تحقق گسترش جریان با استفاده از دنبال کننده امیتر مکمل است.جریان خروجی ترانزیستور پیرو امیتر توسط بهره DC ترانزیستور hFE یا β و جریان پایه IB تعیین می شود، زمانی که جریان مورد نیاز برای درایو IGBT بزرگتر از IB*β باشد، ترانزیستور وارد منطقه کاری خطی و خروجی می شود. جریان درایو کافی نیست، سپس سرعت شارژ و دشارژ خازن IGBT کندتر می شود و تلفات IGBT افزایش می یابد.

استفاده از ماسفت

ماسفت ها همچنین می توانند برای انبساط جریان درایور استفاده شوند، مدار به طور کلی از PMOS + NMOS تشکیل شده است، اما سطح منطقی ساختار مدار مخالف فشار کش ترانزیستور است.طراحی منبع PMOS لوله بالایی به منبع تغذیه مثبت متصل است، دروازه کمتر از منبع ولتاژ معین PMOS روشن است، و خروجی آی سی راننده به طور کلی سطح بالایی روشن است، بنابراین استفاده از ساختار PMOS + NMOS ممکن است در طراحی نیاز به یک اینورتر داشته باشد.

با ترانزیستورهای دوقطبی یا ماسفت؟

(1) تفاوت کارایی، معمولاً در کاربردهای پرقدرت، فرکانس سوئیچینگ خیلی زیاد نیست، بنابراین وقتی ترانزیستور مزیت دارد، افت هدایت اصلی است.بسیاری از طرح‌های با چگالی توان بالا، مانند محرک‌های موتور وسایل نقلیه الکتریکی، که در آن اتلاف گرما دشوار است و دماها در داخل محفظه محصور شده بالا هستند، زمانی که راندمان بسیار مهم است و می‌توان مدارهای ترانزیستوری را انتخاب کرد.

(2) خروجی محلول ترانزیستور دوقطبی دارای افت ولتاژ ناشی از VCE (sat) است، ولتاژ منبع تغذیه باید برای جبران لوله درایو VCE (sat) افزایش یابد تا به ولتاژ درایو 15 ولت دست یابد، در حالی که محلول MOSFET تقریباً می تواند به خروجی ریل به ریل دست یابد.

(3) ولتاژ مقاومت MOSFET، VGS فقط حدود 20 ولت، که ممکن است مشکلی باشد که در هنگام استفاده از منابع تغذیه مثبت و منفی نیاز به توجه دارد.

(4) ماسفت ها دارای ضریب دمایی منفی Rds (روشن)، در حالی که ترانزیستورهای دوقطبی دارای ضریب دمایی مثبت هستند، و ماسفت ها هنگام اتصال موازی، مشکل فرار حرارتی دارند.

(5) در صورت راندن ماسفت های Si/SiC، سرعت سوئیچینگ ترانزیستورهای دوقطبی معمولاً کمتر از ماسفت های شی محرک است، که باید برای افزایش جریان از ماسفت ها استفاده کرد.

(6) استحکام مرحله ورودی به ESD و ولتاژ افزایش، اتصال PN ترانزیستور دوقطبی دارای مزیت قابل توجهی در مقایسه با اکسید گیت MOS است.

ترانزیستورهای دوقطبی و ویژگی های ماسفت یکسان نیستند، از چه چیزی استفاده کنید یا باید خودتان مطابق با الزامات طراحی سیستم تصمیم بگیرید.

حقایق سریع در مورد NeoDen

① تاسیس در سال 2010، 200+ کارمند، 8000+ متر مربع.کارخانه.

② محصولات NeoDen: دستگاه PNP سری هوشمند، NeoDen K1830، NeoDen4، NeoDen3V، NeoDen7، NeoDen6، TM220A، TM240A، TM245P، اجاق گاز IN6، IN12، چاپگر خمیر لحیم کاری IN6، IN12، چاپگر خمیر لحیم کاری FP260، FP263.

③ بیش از 10000 مشتری موفق در سراسر جهان.

④ بیش از 30 نماینده جهانی تحت پوشش در آسیا، اروپا، آمریکا، اقیانوسیه و آفریقا.

⑤ مرکز تحقیق و توسعه: 3 بخش تحقیق و توسعه با 25+ مهندس تحقیق و توسعه حرفه ای.

⑥ با CE فهرست شده و بیش از 50 اختراع ثبت شده است.

⑦ 30+ مهندسان کنترل کیفیت و پشتیبانی فنی، 15+ فروش بین المللی ارشد، پاسخگویی به موقع مشتری در عرض 8 ساعت، ارائه راه حل های حرفه ای در عرض 24 ساعت.